FLASH和DRAM
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FLASH和DRAM

凌昆科技长期合作的,存储和内存协力商,朴思科技(深圳)有限公司是以研发、生产、销售于一体的FLASH和DRAM电路为主营业务的生产供应商。主要大类产品大致如下分析,具体细节产品,请联系我们公司刘经理:13714204032,邮件咨询:sales@lea-kin.com;

产品描述

凌昆科技长期合作的,存储和内存协力商,朴思科技(深圳)有限公司是以研发、生产、销售于一体的FLASH和DRAM电路为主营业务的生产供应商。主要大类产品大致如下分析,具体细节产品,请联系我们公司刘经理:13714204032,邮件咨询:sales@lea-kin.com;

产品大类

核心价值

关键参数

目标市场

SD NAND (SLC)​

极致可靠​

SLC结构,10万次擦写,宽温

工业控制、汽车电子、电力系统、严苛环境

eMMC​

大容量易用​

标准封装,集成主控,易于开发

智能商显、车载信息娱乐、智能家居、网络设备

DDR3/4​

性能与性价比​

分代际满足不同性能需求

广泛的工业、通信、消费电子基础市场

LPDDR4/4X​

高效能低功耗​

低电压,高带宽,小尺寸

高端便携设备、车载系统、AI边缘计算

朴思科技的产品线布局清晰,精准覆盖了嵌入式系统从存储(SD NAND / eMMC)到内存(DDR / LPDDR)的核心需求。通过提供不同技术等级(如SLC vs. eMMC)和不同代际(如DDR3 vs. LPDDR4)的产品,他们能够为各种复杂度和要求的应用场景提供完整的解决方案。

SD NAND (SLC) 产品线,是朴思科技在高可靠性领域的核心产品。

Part Number

存储容量

存储结构

工作电压

擦写次数

产品封装

产品尺寸

工作温度

PSSD01G-LK

1 Gbit (128MB)

SLC​

3.3V

>100,000次​

LGA-8

8.0 x 6.0 mm

-30°C to 85°C

PSSD02G-LK

2 Gbit (256MB)

SLC​

3.3V

>100,000次​

LGA-8

8.0 x 6.0 mm

-30°C to 85°C

PSSD04G-LK

4 Gbit (512MB)

SLC​

3.3V

>100,000次​

LGA-8

8.0 x 6.0 mm

-30°C to 85°C

PSSD32G-DS

32 Gbit (4GB)

SLC​

3.3V

>100,000次​

LGA-8

8.0 x 6.2 mm

-30°C to 85°C

PSSD64G-DS

64 Gbit (8GB)

SLC​

3.3V

>100,000次​

LGA-8

8.0 x 7.0 mm

-30°C to 85°C

 

eMMC 产品线详解

Part Number

存储容量

存储结构

工作电压

擦写次数

产品封装

产品尺寸

工作温度

PS04MAAJ-MYD​

4 GB

主流为TLC

3.3V (接口) / 1.8V (可选)

典型值:3,000次

153-ball FBGA

11.5 mm x 13.0 mm

-25°C to 85°C

PS08MAAJ-MYD​

8 GB

主流为TLC

3.3V (接口) / 1.8V (可选)

典型值:3,000次

153-ball FBGA

11.5 mm x 13.0 mm

-25°C to 85°C

 

DDR 产品线架构分析

DDR产品覆盖了多个代际,以满足不同性能、功耗和成本的需求。

产品大类

具体品类

工作电压

主要特点

典型应用场景

DDR3​

标准DDR3

1.5V

高性价比,成熟稳定,供应链长。

对成本敏感的传统工业控制、网络通信设备。

 

Low Voltage DDR3L

1.35V

较DDR3功耗降低约20%。

注重功耗的便携式设备、电池供电设备。

DDR4​

标准DDR4

1.2V

更高速度,更高密度,性能优于DDR3。

新一代工控机、服务器、高端网络设备。

LPDDR4/4X​

Low Power Double Data Rate 4

1.1V / 0.6V

极致低功耗,高带宽,小封装。

对功耗和尺寸有严苛要求的场景,如车载系统、高端平板、AIoT边缘计算设备。

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